O presente trabalho apresenta um estudo sobre o dispositivo de memória
orgânica com arquitetura alumínio(Al)/Poly(2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-
phenylene vinylene) (MEH-PPV)/Indium Tin Oxide (ITO) por meio das técnicas de
caracterização elétrica em regime DC e AC com objetivo de entender de explicar de
forma mais clara os mecanismos de comutação apresentados pelo dispositivo. As
medidas em regime DC mostram que o dispositivo necessita passar pelo processo de
eletroformação para apresentar comutação resistiva, passando a apresentar dois estados
distintos, de maior e menor condução. Resultados apresentados na literatura sugerem o
crescimento de uma fina camada oxida na interface Al/MEH-PPV durante a preparação
dispositivo, sendo assim um possível responsável por realizar a comutação resistiva
apresentada pelo dispositivo. Os resultados obtidos por meio das medidas em regime
AC mostram que os estados de maior e menor condução apresentam mecanismos de
condução bem definidos, os resultados preliminares foram ajustados utilizando modelo
de circuito equivalente, uma associação de um resistor em série com um circuito resistor
e um elemento de constante de fase (CPE) em paralelo, onde o CPE foi utilizado para
estudar distribuições não homogêneas dos tempos de relaxação do material. São
propostas realizações das medidas elétricas em regime de variação de temperatura para
estudar com mais clareza os mecanismos de condução presentes no dispositivo.